SCRによる制御された整流を実現する方法（サイリスタ)？

通常のシリコン制御整流子の最も基本的な用途は、制御整流です。 おなじみのダイオード整流回路は制御不能な整流回路です。 ダイオードをシリコン制御整流子に置き換えると、制御整流回路を形成できます。 最も単純な単相半波制御可能な整流回路を描きます。 正弦波AC電圧U2の正の半サイクル中に、VSの制御極がトリガーパルスUgを入力しない場合、VSをオンにすることはできません。 U2が正の半サイクルにあり、トリガーパルスUgが制御極に印加された場合にのみ、サイリスタがトリガーされてオンになります。 その波形を描くと、トリガーパルスUgが到着したときにのみ、負荷RLに電圧ULが出力されることがわかります。 Ugは早く到着し、SCRは早くオンになります。 Ugが遅れて到着し、SCRが遅れてオンになります。 制御極へのトリガーパルスUgの到達時間を変更することにより、負荷の出力電圧の平均値UL（網掛け部分の面積）を調整することができます。 電気工学では、交流の半サイクルはしばしば180°に設定されます。これは電気角度と呼ばれます。 このように、U2の正の半サイクルごとに、ゼロ値からトリガーパルスの瞬間までに発生する電気角度は制御角度αと呼ばれます。 正の半サイクルごとにサイリスタが導通する電気角は、導通角θと呼ばれます。 明らかに、αとθの両方は、順方向電圧の半サイクル中のサイリスタの導通またはブロッキング範囲を示すために使用されます。 制御角αまたは導通角θを変えることにより、負荷のパルス直流電圧の平均値ULが変化し、制御可能な整流が実現されます。