IGBT induction heating power supply သည် steel rod quenching and tempering production line တွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် သက်ဆိုင်ပါသည်။

သံမဏိတံကို မီးငြှိမ်းသတ်ပြီး အပူပေးသည့် ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းသည် IGBT ပါဝါကိရိယာများနှင့် အဆင့်မြင့်နည်းပညာဖြင့် ထူးခြားသော ကြိမ်နှုန်းပြောင်းလဲခြင်းနည်းပညာကို လက်ခံသည်။ IGBT သည် MOSFET နှင့် bipolar transistor တို့ဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသော စက်ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ input သည် အလွန် MOSFET ဖြစ်ပြီး ၎င်း၏ output သည် အလွန်ပင် PNP transistor ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် ဤစက်ပစ္စည်းနှစ်ခု၏ အားသာချက်များကို ပေါင်းစပ်ထားပြီး drive ပါဝါနည်းခြင်းနှင့် မြန်ဆန်သော switching speed ၏ အားသာချက်များရှိသည်။ bipolar စက်ပစ္စည်းသည် saturation pressure နှင့် ကြီးမားသော စွမ်းဆောင်ရည်ကို လျှော့ချနိုင်သည့် အားသာချက်များ ရှိပြီး၊ ထို့ကြောင့် စက်၏ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် အပူပေးအကျိုးသက်ရောက်မှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်။

စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် အလယ်အလတ်ကြိမ်နှုန်းပါဝါထောက်ပံ့မှု၏ အထွက်ဗို့အားသည် မြင့်မားသောတည်ငြိမ်မှုရှိသင့်သည်။ ထို့ကြောင့်၊ အထွက်ဗို့အားကို ဝန်နှင့်မတင်ဆောင်မှု အခြေအနေနှစ်ခုလုံးအောက်တွင် အမြဲမပြတ်ရှိနေစေရန် အပိတ်အဝိုင်းတွင် ပါဝါထောက်ပံ့ရေးဗို့အား ချိန်ညှိရန် လိုအပ်သည်။ induction အပူပေးသည့်ကိရိယာသည် ပါဝါကိရိယာ၏ အပြိုင်ပဲ့တင်ထပ်သော ပဲ့တင်ထပ်သည့် induction အပူပေးသည့်ပါဝါထောက်ပံ့မှုအဖြစ် thyristor ကိုအသုံးပြုကာ မိုက်ခရိုကွန်ပျူတာ၏ စူပါဆော့ဖ်ဝဲလ်နှင့် ဟာ့ဒ်ဝဲလုပ်ဆောင်ချက်များကို အပြည့်အဝကစားပေးသည်။ rectifier နှင့် အင်ဗာတာ၏ အကောင်းဆုံးချိန်ညှိမှုအားဖြင့်၊ အဆက်မပြတ်ပါဝါ (အမြင့်ဆုံးပါဝါ) အထွက်ကို ရရှိနိုင်သည်။ ထိန်းချုပ်ပတ်လမ်းသည် single-chip မိုက်ခရိုကွန်ပြူတာ နှစ်စုံကို အသုံးပြုပြီး rectifier pulses များ၏ synchronous triggering နှင့် inverter tracking frequency pulses များ၏ နားလည်သဘောပေါက်မှုကို ထိန်းချုပ်ရန်။ ပြီးစီးမှုအကြိမ်ရေ၏ အလိုအလျောက်ခြေရာခံခြင်းတွင် overcurrent၊ overvoltage၊ cut-off နှင့် cut-off protection function များပါရှိပြီး အလိုအလျောက်အမှားရှာဖွေခြင်းနှင့် ပြသမှုကို အပြီးသတ်နိုင်သည်။