Ҳангоми гудохта шудани кристаллизатсияи эвтектикии оҳани рехтагарӣ дар кӯраи индуксионӣ шумораи ядроҳои кристалл кам мешавад.

Дар купол гудохтан вакт аз гудохтани шихта то аз печь баромадани охани гудохта хеле кутох, такрибан 10 дакика аст. Ҳангоми гудохтан дар як офтобҳои обгузарӣ, он аз оғози заряд то зарба задани оҳан на камтар аз 1 соат вақтро мегирад ва он инчунин дорои таъсири беҳамтои гармкунии индуксионӣ мебошад, ки маводи дар оҳани гудохташударо, ки метавонад ҳамчун ядрои хориҷии графит истифода шавад, хеле кам мекунад ҳангоми кристаллизатсияи эвтектикӣ. . Масалан, SiO2, ки онро ҳамчун ядрои булӯри хориҷӣ истифода бурдан мумкин аст, метавонад бо карбон дар оҳани рехта ба осонӣ реаксия карда, ҳангоми хеле баланд будани ҳарорат ва таъсири ҳаяҷонбахш нопадид шавад:

SiO2＋O2→Si＋2CO↑

Бинобар ин хангоми гудохтани чуяни хокистарранг дар печи индуксионии гудохтан ба коркарди эмкуни диккати махсус додан лозим аст. Микдори эмгузаронй бояд аз микдори дар купол гудохташуда каме зиёд бошад. Беҳтар аст, ки пеш аз инкубатсия (пеш аз эмкунӣ) дар танӯр пеш аз холӣ кардан анҷом дода шавад. Беҳтар кардани шароити нуклеатсияи кристаллизатсияи эвтектикии оҳани чуян.