জন্য সিলিকন কার্বাইড রড ব্যবহারের জন্য সতর্কতা পরীক্ষামূলক বৈদ্যুতিক চুল্লি

1. বৈদ্যুতিক চুল্লি ব্যবহার করার সময়, গরম করার উপাদানের ক্ষতি এড়াতে চুল্লির তাপমাত্রা দীর্ঘ সময়ের জন্য রেট করা তাপমাত্রার বেশি হওয়া উচিত নয়। চুল্লিতে বিভিন্ন দাহ্য তরল এবং গলিত ধাতু ঢালা নিষিদ্ধ।

2. সিলিকন কার্বাইড রড শক্ত এবং ভঙ্গুর, তাই লোড এবং আনলোড করার সময় সতর্ক থাকুন৷

3. সিলিকন কার্বাইড রডগুলিকে একটি শুকনো জায়গায় সংরক্ষণ করা উচিত যাতে আর্দ্রতার কারণে অ্যালুমিনিয়াম-প্লেটেড প্রান্তের অবনতি না হয়৷

4. গলিত KOH, NaOH, Na2CO3 এবং K2CO3 লাল তাপ তাপমাত্রায় SiC পচে। সিলিকন কার্বাইড রডগুলি ক্ষার, ক্ষারীয় আর্থ ধাতু, সালফেট, বোরাইড ইত্যাদির সংস্পর্শে ক্ষয়প্রাপ্ত হবে, তাই তাদের সিলিকন কার্বাইড রডের সাথে যোগাযোগ করা উচিত নয়।

5. স্পার্কিং এড়াতে সিলিকন কার্বাইড রডের তারের রডের ঠান্ডা প্রান্তে সাদা অ্যালুমিনিয়ামের মাথার সাথে ঘনিষ্ঠ সংস্পর্শে থাকা উচিত।

6. সিলিকন কার্বাইড রড 2°C তাপমাত্রায় Cl600 এর সাথে বিক্রিয়া করে এবং 1300-1400°C তাপমাত্রায় জলীয় বাষ্পের সাথে বিক্রিয়া করে। সিলিকন কার্বাইড রড 1000°C এর নিচে জারিত হয় না এবং 1350°C, 1350-1500°C তাপমাত্রায় উল্লেখযোগ্যভাবে জারিত হয়। SiO2 এর একটি প্রতিরক্ষামূলক ফিল্ম মাঝখানে গঠিত হয় এবং সিলিকন কার্বাইড রডের পৃষ্ঠের সাথে লেগে থাকে যাতে SiC কে অক্সিডাইজ হওয়া থেকে বিরত রাখে।

7. সিলিকন কার্বাইড রড ব্যবহারের সময় বৃদ্ধির সাথে সাথে সিলিকন কার্বাইড রডের প্রতিরোধের মান বৃদ্ধি পায় এবং প্রতিক্রিয়াটি নিম্নরূপ:

SiC + 2O2=SiO2 + CO2

SiC + 4H2O = SiO2 + 4H2 + CO2

SiO2 এর বিষয়বস্তু যত বেশি, সিলিকন কার্বাইড রডগুলির প্রতিরোধের মান তত বেশি। অতএব, পুরানো এবং নতুন সিলিকন মলিবডেনাম রডগুলিকে মিশ্রিত করা যাবে না, অন্যথায় প্রতিরোধের মান ভারসাম্যহীন হবে, যা তাপমাত্রা ক্ষেত্রের এবং সিলিকন কার্বাইড রডগুলির পরিষেবা জীবনের জন্য খুব প্রতিকূল।