ข้อควรระวังสำหรับการใช้แท่งซิลิกอนคาร์ไบด์สำหรับ เตาไฟฟ้าทดลอง

1. เมื่อใช้เตาไฟฟ้า อุณหภูมิของเตาเผาไม่ควรเกินอุณหภูมิที่กำหนดเป็นเวลานานเพื่อหลีกเลี่ยงความเสียหายต่อองค์ประกอบความร้อน ห้ามเทของเหลวไวไฟและโลหะหลอมเหลวต่างๆ ลงในเตาเผา

2. แกนซิลิกอนคาร์ไบด์แข็งและเปราะ ดังนั้นควรระมัดระวังในการขนถ่าย

3. แท่งซิลิกอนคาร์ไบด์ควรเก็บไว้ในที่แห้งเพื่อป้องกันการเสื่อมสภาพของปลายอะลูมิเนียมชุบเนื่องจากความชื้น

4. KOH หลอมเหลว NaOH Na2CO3 และ K2CO3 สลาย SiC ที่อุณหภูมิความร้อนแดง แท่งซิลิคอนคาร์ไบด์จะสึกกร่อนเมื่อสัมผัสกับโลหะอัลคาไล โลหะอัลคาไลน์เอิร์ธ ซัลเฟต บอไรด์ ฯลฯ ดังนั้นจึงไม่ควรสัมผัสกับแท่งซิลิกอนคาร์ไบด์

5. การเดินสายไฟของแกนซิลิกอนคาร์ไบด์ควรสัมผัสใกล้ชิดกับหัวอะลูมิเนียมสีขาวที่ปลายเย็นของแกนเพื่อหลีกเลี่ยงการเกิดประกายไฟ

6. แท่งซิลิกอนคาร์ไบด์ทำปฏิกิริยากับ Cl2 ที่ 600 ° C และทำปฏิกิริยากับไอน้ำที่ 1300-1400 ° C แท่งซิลิกอนคาร์ไบด์ไม่ถูกออกซิไดซ์ที่ต่ำกว่า 1000 °C และถูกออกซิไดซ์อย่างมีนัยสำคัญที่ 1350 °C ที่ 1350-1500 °C ฟิล์มป้องกันของ SiO2 ถูกสร้างขึ้นในระหว่างและยึดติดกับพื้นผิวของแท่งซิลิกอนคาร์ไบด์เพื่อป้องกันไม่ให้ SiC เกิดปฏิกิริยาออกซิไดซ์อย่างต่อเนื่อง

7. ค่าความต้านทานของแท่งซิลิคอนคาร์ไบด์เพิ่มขึ้นตามเวลาการใช้งานของแท่งซิลิคอนคาร์ไบด์เพิ่มขึ้น และปฏิกิริยาจะเป็นดังนี้:

SiC + 2O2=SiO2 + CO2

SiC + 4H2O = SiO2 + 4H2 + CO2

ยิ่งเนื้อหาของ SiO2 สูงเท่าใด ค่าความต้านทานของแท่งซิลิกอนคาร์ไบด์ก็จะยิ่งมากขึ้นเท่านั้น ดังนั้นจึงไม่สามารถผสมแท่งซิลิกอนโมลิบดีนัมทั้งเก่าและใหม่ได้ มิฉะนั้น ค่าความต้านทานจะไม่สมดุล ซึ่งไม่เอื้ออำนวยต่อสนามอุณหภูมิและอายุการใช้งานของแท่งซิลิกอนคาร์ไบด์