Ang prinsipyo sa pagtrabaho sa induction melting furnace accessories ： thyristor

Sa proseso sa pagtrabaho sa thyristor Ang T, ang anode A ug cathode K niini konektado sa suplay sa kuryente ug karga aron maporma ang punoan nga circuit sa thyristor, ug ang gate G ug cathode K sa thyristor konektado sa aparato alang sa pagpugong sa thyristor aron maporma ang control circuit sa ang thyristor.

Mga kondisyon sa pagtrabaho sa thyristor:

1. Kung ang thyristor gipailalom sa usa ka positibo nga boltahe sa anode, ang thyristor gipaandar ra kung ang ganghaan gipailalom sa usa ka positibo nga boltahe. Sa kini nga oras, ang thyristor naa sa usa ka gipaagi nga conduction nga estado, nga mao ang kinaiya nga thyristor’s thyristor, nga mahimong makontrol.

2. Kung ang thyristor gipaandar, basta adunay usa ka piho nga positibo nga boltahe sa anode, dili igsapayan ang boltahe sa ganghaan, ang thyristor magpadayon, kana mao, pagkahuman nga maablihan ang thyristor, mawala ang pagpaandar sa ganghaan. Ang ganghaan nagsilbi lamang nga usa ka gatilyo

3. Kung ang turno sa thyristor, kung ang nag-una nga boltahe sa sirkito (o karon) mikunhod nga hapit sa zero, ang thyristor mopatay.

4. Kung ang thyristor nagdala sa reverse anode voltage, bisan unsang boltahe ang gidala sa gate, ang thyristor naa sa reverse block nga estado.

Sa tungatunga nga frequency nga hudno, ang oras sa pag-shutter sa kilid sa rectifier naa sa sulud sa KP-60 microseconds, ug ang bahin sa inverter mohunong sa mubo nga oras sa sulud sa mga KK-30 microseconds. Kini usab ang punoan nga kalainan tali sa mga tubo sa KP ug KK. Ang Thyristor T mao ang anode niini sa panahon sa operasyon. Ang A ug cathode K konektado sa power supply ug load aron maporma ang punoan nga circuit sa thyristor. Ang gate G ug cathode K sa thyristor konektado sa aparato alang sa pagpugong sa thyristor aron maporma ang control circuit sa thyristor.

Gikan sa sulud nga pagtuki sa proseso sa pagtrabaho sa thyristor: Ang thyristor usa ka upat nga layer nga three-terminal device. Adunay kini tulo nga PN junction, J1, J2, ug J3. Larawan 1. Ang NP sa tunga-tunga mahimong bahinon sa duha nga bahin aron maporma ang usa ka transistor nga sama sa PNP ug usa ka transistor nga klase og NPN. Hulagway 2 Kung ang thyristor nagdala positibo nga boltahe sa anode, aron mahimo sa thyristor ang tanso, ang PN junction nga J2 nga nagdala sa pabalik nga boltahe kinahanglan mawala ang epekto sa pag-ali niini. Ang kasamtangan nga kolektor sa matag transistor sa numero usab ang basehan nga karon sa us aka lain nga transistor.

Tungod niini, kung adunay igo nga kasamtangan nga gate sa Ig nga moagos sa duha nga mga transistor circuit nga gihiusa sa matag usa, usa ka kusug nga positibo nga feedback ang maporma, hinungdan nga ang duha nga transistors mahimong saturated ug conduction, ug ang mga transistors nabusog ug nagpadala. Pananglit ang kasamtangan nga kolektor sa tubo sa PNP ug ang tubo sa NPN katumbas sa Ic1 ug Ic2; ang karon nga emitter katumbas sa Ia ug Ik; ang karon nga koepisyent sa amplification katumbas sa a1 = Ic1 / Ia ug a2 = Ic2 / Ik, ug ang reverse phase nga nagaagay sa J2 junction Ang kasamtangan nga leakage mao ang Ic0, ug ang anode current sa thyristor parehas sa kantidad sa kasamtangan nga kolektor ug ang agos sa leakage sa duha nga mga tubo: Ia = Ic1 Ic2 Ic0 o Ia = a1Ia a2Ik Ic0 Kung ang agianan sa ganghaan mao ang Ig, ang sulud sa thyristor cathode mao ang Ik = Ia Ig, sa ingon Mahuman nga ang anode current sa thyristor mao ang : I = (Ic0 Iga2) / (1- (a1 a2)) (1-1) Ang katugbang nga karon nga coefficients nga amplification a1 ug a2 sa silicon PNP tube ug silicon NPN tube proporsyonal sa karon nga emitter Ang pagbag-o ug ang mahait nga pagbag-o gipakita sa Larawan 3.

Kung ang thyristor gipaubos sa positibo nga boltahe sa anode ug ang ganghaan wala gipailalom sa boltahe, sa pormula (1-1), Ig = 0, (a1 a2) gamay kaayo, busa ang anode nga karon sa thyristor Ia≈Ic0 ug ang ang thyristor sirado sa positibo Ngadto sa nag-ali nga estado. Kung ang thyristor naa sa positibo nga boltahe sa anode, ang kasamtangan nga Ig nag-agay gikan sa gate G. Tungod kay ang igo nga ig nga Ig nag-agay sa pag-abut sa tubo sa NPN tube, ang inisyal nga karon nga hinungdan sa pagpadako nga a2 nadugangan, ug daghang igo nga electrode karon nga Ic2 nga nagaagi ang tubo sa PNP. Gidugangan usab niini ang karon nga amplification factor a1 sa PNP tube, ug naghimo usa ka labi ka daghan nga electrode current Ic1 nga nag-agi sa emitter junction sa NPN tube.

Ang ingon ka kusug nga proseso sa positibo nga feedback nagpadayon sa madali.

Kung ang a1 ug a2 nagdugang sa karon nga emitter ug (a1 a2) ≈ 1, ang denominator 1- (a1 a2) ≈ 0 sa pormula (1-1), sa ingon nagdugang ang anode current Ia sa thyristor. Sa kini nga oras, moagos kini latas Ang sulud sa thyristor hingpit nga gitino sa boltahe sa punoan nga sirkito ug resistensya sa sirkito. Ang thyristor naa na sa usa ka pagpadayon nga kahimtang nga nagpadagan. Sa pormula (1-1), pagkahuman sa pag-abli sa thyristor, 1- (a1 a2) ≈0, bisan kung ang gate karon Ig = 0 sa kini nga oras, ang thyristor mahimo gihapon magpadayon sa orihinal nga anode karon nga Ia ug magpadayon sa pagpadayon .

Pagkahuman nga i-on ang thyristor, nawala ang pagpaandar sa gate. Pagkahuman sa pag-abli sa thyristor, kung ang boltahe sa suplay sa kuryente padayon nga gibanan o ang pagsukol sa loop gipataas aron maminusan ang anode karon nga Ia sa ubus sa kasamtangan nga pagpadayon sa IH, tungod kay ang a1 ug a1 dali nga mahulog, kung ang 1- (a1 a2) ≈ 0 , Ang thyristor mobalik sa estado nga nag-ali.