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유도 용해로 액세서리의 작동 원리: 사이리스터

유도 용해로 액세서리의 작동 원리: 사이리스터

작업 과정에서 사이리스터 T, 양극 A 및 음극 K는 전원 공급 장치 및 부하와 연결되어 사이리스터의 주회로를 형성하고, 사이리스터의 게이트 G와 음극 K는 사이리스터를 제어하는 ​​장치와 연결되어 의 제어 회로를 형성합니다. 사이리스터.

사이리스터의 작동 조건:

1. 사이리스터에 양의 양극 전압이 가해지면 게이트에 양의 전압이 가해질 때만 사이리스터가 켜집니다. 이때 사이리스터는 사이리스터의 특성인 순방향 전도 상태로 제어가 가능하다.

2. 사이리스터가 켜지면 게이트 전압에 관계없이 일정한 양의 양극 전압이있는 한 사이리스터가 켜진 상태로 유지됩니다. 즉, 사이리스터가 켜진 후 게이트가 기능을 잃습니다. 게이트는 방아쇠 역할만 합니다.

3. 사이리스터가 ON일 때 주회로 전압(또는 전류)이 XNUMX에 가까워지면 사이리스터가 꺼진다.

4. 사이리스터가 역 양극 전압을 견딜 때 게이트가 어떤 전압을 받든 사이리스터는 역 차단 상태에 있습니다.

중간 주파수로에서 정류기 측 차단 시간은 KP-60 마이크로초 이내이고 인버터 측은 KK-30 마이크로초 이내에서 짧은 시간 동안 차단됩니다. 이것은 또한 KP와 KK 튜브의 주요 차이점입니다. 사이리스터 T는 작동 중 양극입니다. A와 음극 K는 전원 및 부하에 연결되어 사이리스터의 주회로를 형성합니다. 사이리스터의 게이트(G)와 캐소드(K)는 사이리스터를 제어하는 ​​장치와 연결되어 사이리스터의 제어회로를 형성한다.

사이리스터의 작동 과정에 대한 내부 분석에서: 사이리스터는 1층 2단자 장치입니다. J3, J1 및 J2의 세 가지 PN 접합이 있습니다. 그림 2. 중간에 있는 NP는 PNP형 트랜지스터와 NPN형 트랜지스터를 형성하기 위해 두 부분으로 나눌 수 있습니다. 그림 XNUMX 사이리스터가 양의 양극 전압을 견딜 때 사이리스터가 구리를 전도하게 하려면 역전압을 견디는 PN 접합 JXNUMX가 차단 효과를 잃어야 합니다. 그림의 각 트랜지스터의 컬렉터 전류는 다른 트랜지스터의 베이스 전류이기도 합니다.

따라서 서로 합성된 두 개의 트랜지스터 회로에 충분한 게이트 전류 Ig가 흐르면 강한 양의 피드백이 형성되어 두 개의 트랜지스터가 포화되어 도통되고 트랜지스터가 포화되어 도통됩니다. PNP 튜브와 NPN 튜브의 콜렉터 전류가 Ic1 및 Ic2에 해당한다고 가정합니다. 이미 터 전류는 Ia 및 Ik에 해당합니다. 전류 증폭 계수는 a1=Ic1/Ia 및 a2=Ic2/Ik에 해당하고 J2 접합을 통해 흐르는 역상 누설 전류는 Ic0이고 사이리스터의 애노드 전류는 콜렉터 전류의 합과 같습니다. 두 관의 누설 전류: Ia=Ic1 Ic2 Ic0 또는 Ia=a1Ia a2Ik Ic0 게이트 전류가 Ig이면 사이리스터 음극 전류는 Ik=Ia Ig이므로 사이리스터의 양극 전류는 다음과 같다고 결론지을 수 있습니다. : I=(Ic0 Iga2)/(1-(a1 a2)) (1-1) 실리콘 PNP 튜브 및 실리콘 NPN 튜브의 해당 전류 증폭 계수 a1 및 a2는 이미 터 전류 변화 및 급격한 변화에 비례합니다. 그림 3에 나와 있습니다.

사이리스터에 양의 양극 전압을 가하고 게이트에 전압을 가하지 않으면 식 (1-1)에서 Ig=0, (a1 a2)가 매우 작으므로 사이리스터 Ia≈Ic0의 양극 전류와 사이리스터는 차단 상태에 양수에서 닫힙니다. 사이리스터가 양의 양극 전압일 때 전류 Ig가 게이트 G에서 흐른다. 충분히 큰 Ig가 NPN 튜브의 방출 접합부를 통해 흐르기 때문에 초기 전류 증폭 계수 a2가 증가하고 충분히 큰 전극 전류 Ic2가 통과한다. PNP 튜브. 또한 PNP 튜브의 전류 증폭 계수1을 증가시키고 NPN 튜브의 이미 터 접합을 통해 흐르는 더 큰 전극 전류 Ic1을 생성합니다.

이러한 강력한 긍정적 피드백 프로세스는 빠르게 진행됩니다.

a1 및 a2가 에미터 전류에 따라 증가하고 (a1 a2) ≈ 1, 식 (1-1)에서 분모 2-(a0 a1) ≈ 1, 따라서 사이리스터의 애노드 전류 Ia가 증가합니다. 이때 사이리스터에 흐르는 전류는 주회로의 전압과 회로저항에 의해 완전히 결정된다. 사이리스터는 이미 순방향 전도 상태에 있습니다. 식 (1-1)에서 사이리스터가 켜진 후 1-(a1 a2)≈0, 이때 게이트 전류 Ig=0이더라도 사이리스터는 원래의 애노드 전류 Ia를 유지하고 계속 도통할 수 있습니다. .

사이리스터가 켜진 후 게이트는 기능을 상실합니다. 사이리스터를 켠 후 전원전압을 지속적으로 낮추거나 루프저항을 높여 양극전류 Ia를 유지전류 IH 이하로 낮추면 a1과 a1이 급격히 떨어지므로 1-(a1 a2) ≈ 0 , 사이리스터가 차단 상태로 돌아갑니다.