머플로 온도 조절기의 무접점 계전기의 단점

(1) 턴온 후 전압 강하가 크고 사이리스터 또는 1상 제어 실리콘의 순방향 전압 강하는 2~1V에 도달할 수 있으며 고전력 트랜지스터의 포화 전압 강하는 2~XNUMXV 사이입니다. , 일반 전원 FET의 턴온을 안내하는 저항도 기계 접점의 온 저항보다 큽니다.

(2) 반도체 장치가 꺼진 후에도 여전히 몇 마이크로암페어에서 몇 밀리암페어의 누설 전류가 있을 수 있으며 이는 목표를 달성할 수 없는 전기적 단선입니다.

(3) 튜브의 큰 전압 강하로 인해 전원을 켠 후의 소비 전력과 발열도 크며 고전력 무접점 계전기의 부피가 동일한 전자 계전기의 부피보다 큽니다. 용량이 크고 비용도 높다.

(4) 전자 부품 및 전자 회로의 온도 특성은 간섭 방지 능력이 낮고 내방사선성이 불량합니다. 유용한 조치를 취하지 않으면 신뢰도가 매우 낮습니다.

(5) 솔리드 스테이트 릴레이는 과부하 지연이 더 크며 고속 퓨즈 또는 RC 저항 회로에 과부하가 걸립니다. 무접점 계전기의 부하는 주변 온도와 관련이 있습니다. 온도가 낮아지면 부하 전력이 유연하게 감소합니다.

(6) 중요한 단점은 온 상태 전압 강하(방열 단계에 응답해야 함), 오프 상태 누설 전류, AC/DC를 보편적으로 사용할 수 없으며 접점 그룹 수가 적고 기타 과도 전류, 과전압 및 전압 복구율, 전류 복구율 목표 차이를 기다립니다.